半导体设备行业国产化现状深度分析

请务必阅读末页的免责条款和声明2022年8月24日半导体设备行业国产化现状分析中信证券研究部电子组徐涛/王子源半导体设备深度专题目录CONTENTS11.中国大陆晶圆厂扩产拉动各类半导体设备需求2.国产化趋势：美日设备占比最高，国产占比呈现显著上升趋势3.设备厂商现状：优秀国产厂商涌现，国产替代有望加快4.总结：坚定看好设备国产替代趋势8XpXeX8VvXjWtXcVbR8Q7NoMnNsQsQiNqQzRfQoMqN8OpPyRwMrNqOMYmRmN21. 中国大陆晶圆厂扩产拉动各类半导体设备需求I.半导体制造工艺和晶圆厂设备需求情况II.中国大陆产线进展：行业增速39%，晶圆厂扩产拉动各类半导体设备需求III.国内主要下游晶圆厂扩产进展更新和对应市场空间测算3资料来源：各公司官网，中信证券研究部资料来源：Intel官网，中信证券研究部半导体产业链各环节晶圆制造流程半导体制造：世界最精密制造业，纳米级工艺晶圆涂光刻胶光刻曝光光刻曝光刻蚀光刻胶清洗离子注入晶体管形成薄膜沉积薄膜沉积化学机械抛光金属多层连接IC设计IC制造封装测试IC设备IC材料IP、EDA工具集成电路内部结构纵切示意图资料来源：Semiengineering，中信证券研究部4半导体制造：工艺主流尺寸缩进，摩尔定律2年递减资料来源：各公司网站，中信证券研究部台积电、英特尔、三星14/16nm、10nm、7nm工艺指标比较IRDS基本路线图16/14nm英特尔14nm三星14nmTSMC 16nmIRDS基本路线图10nmTSMC 10nm三星10nmTSMC 7nmTSMC 7nm+三星7nm EUV英特尔10nm量产时间20152014201520152017201720172018Q2~2019Q2~2019~2019H2晶体管结构FinFET/FDSOIFinFETFinFETFinFETFinFET/FDSOIFinFETFinFETFinFETFinFETFinFETFinFET鳍片间距Fin pitch (nm)42434945363642N/AN/A~2734栅极间距Gate pitch(nm)70707888546668~54N/A5454最小金属间距Min Metal pitch (nm)5652677036424840N/A3636逻辑单元高度(nm)N/AN/AN/AN/AN/