IGBT和碳化硅MOSFET混合并联开关

并联IGBT和SiCMOSFET的混合开关设计规则Andy WU议程1背景介绍2混合开关逆变器3混合开关栅极驱动器4混合开关设计的考虑因素第1部分背景介绍IGBT和SiC的主要大功率应用场景•太阳能逆变器•储能•充电桩•马达驱动•OBC•电驱逆变器…1200V SiC MOSFET vsIGBT 在10kHz /210kW 逆变器应用比较SiC性能: •更高的功率密度•更高的效率•减少的散热系统混合开关充分利用SiC 性能和IGBT 成本优势第2部分混合开关栅极驱动器用于混合SiC-IGBT的STGAP4BH 低BOM成本•可同时驱动SiC 和IGBT 的专用驱动器高集成度•集成高低边隔离•集成完备的功能及参数配置高鲁棒性•高耐压1200 V•高抗扰度>100 V/ns CMTI•栅极负压驱动能力（-10 V）新型混合驱动器，能够同时驱动SiC + IGBTSTGAP4BH框图STGAP4BH让PWM时序管理变简单STGAP4BH 高级时序管理•专用输入配置允许实时选择SiC 通道和IGBT 通道独立的开通和关断延迟时间•实时独立选择开通和关断优先级顺序•只需从MCU 输入一个PWM，由栅极驱动器完成时序管理STGAP4BH-混合时序管理可通过低压侧的逻辑电路实时更改开通/关断时序和延迟时间STGAP4BH-混合时序•输出级专为外部MOSFET 推挽驱动而设计•输入和输出脉冲之间无占空比失真•通道间可实时配置延迟时间和顺序选择•两个通道独立的驱动电平，具有专用的可配置UVLO 保护功能STGAP4BH SiC-IGBT时序配置开通和关断顺序实时选择•独立选择开通和关断时序•允许开通和关断时序任意组合STGAP4BH SiC-IGBT延迟配置•配置寄存器定义了4 对开通和关断延迟，可通过数字DELAYx 引脚进行实时选择•在每个寄存器中，0-3 位定义了开通延迟，4-7 位定义了关断延迟•配置寄存器中的每个开通和关断延迟可从表格中16 个编码延迟值中选择•通过PRESCALER 位（CFG5），可以在60 至120 ns 之间设置基准时间（所有延迟时间有效）。STGAP4BH输出驱动输出架构•用于MOSFET 推挽驱动器输出•STGAP4BHS 提供合适的驱动电压，并为推挽式驱动提供嵌入式 死区时间电流能力•可通过外部MOSFET 扩展，轻松>15A 并高达