用于工业应用的宽禁带技术和创新解决方案

用于工业应用的宽带隙技术和创新封装解决方案Joe GUO议程1WBG材料优点2ST SiC技术3SiC封装路线图4PowerGaN技术5PowerGaN封装6要点7问答2WBG材料优点关于宽带隙材料4高击穿电压更低的导通电阻和损耗更高的开关频率高结温能力高达200°C散热能力更好降低了冷却要求硅、SiC和GaN功率半导体的定位10 W100 W1 kW10 kW100 kW1 MW1 W1 Hz10 Hz100 Hz1 kHz10 kHz100 kHz1 MHz10 MHz工作频率系统功率等级IGBT硅MOSFETSiC MOSFETGaN晶体管通过模块或并联可实现更高功率水平5ST SiC技术SiC MOSFET电压范围7优化了Ron和Tj，用于电机驱动应用平衡了Ron和Qg，用于各种汽车和工业应用超高速系列，优化了Ron和Qg，用于超高频率应用Gen1Gen2Gen3用于高密度应用的高压快速开关技术1200–1700 V650 V, 1200 V, 2200 V650 V, 750 V, 900 V, 1200V超高压SiC将SiC技术的优势扩展到更高电压范围SiC VHV2200 V*2200 V* 工业级SiC二极管系列概述8SiC二极管 | 低VFVRRM（V）650 V1200 V2A20ASiC二极管 | 低VF车规级8A40ASiC二极管 | H系列抗浪涌能力强SiC二极管 | H系列抗浪涌能力强车规级SiC二极管 | 1200 VSiC二极管 | 1200 V车规级IFAV (A)更大的范围10ASiC MOSFET提高了品质因数901234567650 V1200 VRDS(on) x 面积 (mΩ x cm2)0246810650 V1200 VRDS(on) x Qg (mΩ x nC)第1代第2代第3代50 mΩ1200 V25 mΩ1200 V14 mΩ1200 V历代MOSFET的改进•较低的Ron x 面积→若芯片尺寸一定，则Ron更低；若Ron一定，芯片尺寸越小，则可获得更高的电流能力和更低的传导损耗 →在封装体积相同的功率模块中，可获得更大的功率•低较的Ron x Qg→更低的开关损耗，更高的频率（减少电路板）更大的功率STPOWER SiC MOSFET产品系列和应用10650 V1200 V1700 VG2G1G2G1击穿电压