先进功率科技赋能高效高密度功率转换解决方案

用于高效和高密度功率转换的先进电源技术Justin Tang议程1功率离散产品组合2HV MOSFET和封装创新3ST SiC MOSFET和封装创新4ST GaN生产5二极管与整流器6问答2功率RF智能电源模块电源模块碳化硅GaN FET碳化硅二极管LDMOS, DMOS28 V，1000 VSLLIMM*500 V，600 VACEPACK*650 V，1200 VSiC MOSFET650 V，1200 V硅基氮化镓100 V，650 V（研发中）SiC二极管650 V，1200 V肖特基15 V至200 VFERD45 V至100 V超高速200 V至1200 V高压功率MOSFET低压功率MOSFETIGBT功率双极晶体管高可靠性且节省空间SCR可控硅平面与MDmesh*250V至1700VSTripFET*-100 V至200 VIGBT600/650 V, 1200 V功率双极晶体管15V至1700V抗辐射双极与MOSFET60 V，200 V400 V至1200 V0.25 A至80 AIGT 5 µA至50 mA600 V至1200 V0.8 A至40 A，IGT 3 mA - 50 mA功率离散解决方案技术组合总览3RFR-H*STMicroelectronics International NV或其附属公司在欧盟和/或其他地区的注册和/或未注册商标HV MOSFET与先进封装M2400至650 V反激，PFC，LLC谐振高端电源PFC硬开关拓扑，TTF主要拓扑M5550 - 650 VDM2400 - 650 VDM6400至650 VTV SMPS、快速充电器、适配器LED照明、微型逆变器电动汽车/充电主要应用M6 600 - 650 VM9250 - 650 VDM9600至650 V半桥、全桥ZVS、LLC 高端电源PFC硬开关拓扑，LLC软开关服务器、电信数据中心、5G发电站、太阳能、医疗、电机控制K5/DK5 - K6800至1700 V反激拓扑LED驱动器、LED照明、辅助SMPS、电动汽车、医疗MDmesh系列高压MOSFET系列超结MDmesh*和STMESH沟槽2024年1月T**600 VDT**600 V •STMicroelectronics International NV或其附属公司在